|
☰ Все разделы → Комплектующие 21 Память для компьютера - CL 21 в городе Апрелевка➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 21 Память для компьютера — купить в городе Апрелевка и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 76 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Апрелевка, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 76 шт: 
1 модуль памяти DDR4 RDIMM, 32Гб, C4-24300, CL21, 2933MHz.
1 модуль памяти, DDR4 DIMM, 16Gb, ECC Reg, PC4-23466, 2933MHz.
1 модуль памяти, DDR4 DIMM, 32Gb, ECC Reg, PC4-23400, 2933MHz, CL21.
1 модуль DDR4 DIMM, 64Gb, PC4-23466, 2933MHz, ECC Reg, CL 21.
Память DDR4 RDIMM, 16Gb, Reg, PC4-24300, CL21, 2933MHz.
Память DDR4 RDIMM, 64Gb, Reg, PC4-24300, CL21, 2933MHz.
1 модуль DDR4 DIMM, объем 8Gb, частота 2933МГц, PC4-23466, ECC Reg.
1 модуль памяти DDR4 DIMM, 16GB, PC4-23466, 2933MHz, ECC Reg, CL 21.
1 модуль памяти DDR4 DIMM, 16GB, PC4-23466, 2933MHz, ECC Reg, CL 21.
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Crucial CT16G4RFD8293 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Crucial CT16G4RFD8293 
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Samsung M393A8G40MB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Samsung M393A8G40MB2-CVF 
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS4/16MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS4/16MEI 
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTH-PL429/64G - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTH-PL429/64G 
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/16 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/16 
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD4/32MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD4/32MEI 
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29S21D8/32 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29S21D8/32 
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/32 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/32 
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTL-TS429/32G - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTL-TS429/32G 
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS8/8MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS8/8MEI 
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21S8/8 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21S8/8 
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD8/16MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD8/16MEI 
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Crucial CT16G4RFS4293 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Crucial CT16G4RFS4293 
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Lenovo 4ZC7A08710 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M393A1K43DB1-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M393A1K43DB1-CVF 
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF4G72PZ-2G9J1 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF4G72PZ-2G9J1 
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M393A2K43DB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M393A2K43DB2-CVF 
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Hynix HMA81GS6DJR8N-WM - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Hynix HMA81GS6DJR8N-WM 
Оперативная память 128 ГБ 1 шт. Samsung M386AAG40MMB-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 128 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 128 ГБ 1 шт. Samsung M386AAG40MMB-CVF 
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4K40DB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4K40DB2-CVF 
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4G40AB3-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4G40AB3-CVF 
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PDZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PDZ-2G9 
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72PZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72PZ-2G9 
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72LZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор LRDIMM, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72LZ-2G9 
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Hewlett Packard Enterprise P19041-B21 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Hewlett Packard Enterprise P19041-B21 
Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KCP429SS6/8 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Оперативная память 16 GB 1 шт. Kingston KSM29ED8/16HD - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 GB 1 шт. Kingston KSM29ED8/16HD 
Оперативная память 64 GB 1 шт. Hynix HMAA8GL7CPR4N-WM - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор LRDIMM, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 GB 1 шт. Hynix HMAA8GL7CPR4N-WM 
Оперативная память 16 GB 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 GB 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 
Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KSM29RS8/8HDR - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KSM29RS8/8HDR 
Оперативная память 64 GB 1 шт. Micron MTA72ASS8G72LZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 GB 1 шт. Micron MTA72ASS8G72LZ-2G9 
Оперативная память 64 GB 1 шт. DELL 370-AEQG - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Оперативная память 16 GB 1 шт. Lenovo 4ZC7A08708 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Оперативная память 8 GB 1 шт. Supermicro MEM-DR480L-CL01-ER29 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 GB 1 шт. Supermicro MEM-DR480L-CL01-ER29 
Оперативная память Kingston 64GB 2933MHz CL21 (KSM29RD4/64MER) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Kingston 64GB 2933MHz CL21 (KSM29RD4/64MER) 
Оперативная память Kingston 4GB 2933MHz CL21 (KCP429SS6/4) - объем памяти: 4 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Kingston 4GB 2933MHz CL21 (KCP429SS6/4) 
Оперативная память AMD Radeon R9 Gaming Series 8GB 3000MHz CL21 (R948G3000S2S-U) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 3000 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC24000, радиатор: да, поддержка XMP: да
Отзывы о Оперативная память AMD Radeon R9 Gaming Series 8GB 3000MHz CL21 (R948G3000S2S-U) 
Оперативная память DELL 64GB 2933MHz CL21 (370-AEQGt) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память DELL 64GB 2933MHz CL21 (370-AEQGt) 
Оперативная память DELL 32GB 2933MHz CL21 - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Оперативная память DELL 32GB 3200MHz CL21 - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 3200 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC25600, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Оперативная память Micron 32GB 2933MHz CL21 (MTA18ASF4G72PDZ-2G9E1) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Micron 32GB 2933MHz CL21 (MTA18ASF4G72PDZ-2G9E1) 
Оперативная память Crucial 64GB 2933MHz CL21 (CT64G4RFD4293) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Crucial 64GB 2933MHz CL21 (CT64G4RFD4293) 
Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KCP429SD8/32) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KCP429SD8/32) 
Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMA84GR7CJR4N-WMT8) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMA84GR7CJR4N-WMT8) 
Оперативная память Nanya 32GB 2933MHz CL21 (NT32GA72D4NBX3P-IX) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Nanya 32GB 2933MHz CL21 (NT32GA72D4NBX3P-IX) 
Оперативная память Samsung 8GB 3200MHz CL21 (M378A1K43EB2-CWE) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 3200 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC25600
Отзывы о Оперативная память Samsung 8GB 3200MHz CL21 (M378A1K43EB2-CWE) 
Оперативная память Qumo 16GB 2933MHz CL21 (QUM4U-16G2933P21) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Qumo 16GB 2933MHz CL21 (QUM4U-16G2933P21) 
Оперативная память DELL 32GB 2933MHz CL21 (370-AEQI) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память DELL 32GB 2933MHz CL21 (370-AEQI) 
Оперативная память Fujitsu 64GB 2933MHz CL21 (S26361-F4083-L364) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Fujitsu 64GB 2933MHz CL21 (S26361-F4083-L364) 
Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KSM29RD8/32HAR) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21-32, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KSM29RD8/32HAR) 
Оперативная память Hynix 16GB 2933MHz CL21 (HMA82GU6CJR8N-WM) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Hynix 16GB 2933MHz CL21 (HMA82GU6CJR8N-WM) 
Оперативная память Micron 8GB 2933MHz CL21 (MTA9ASF1G72PZ-2G9J3) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Micron 8GB 2933MHz CL21 (MTA9ASF1G72PZ-2G9J3) 
Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMAA4GU6AJR8N-WMN0) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMAA4GU6AJR8N-WMN0) 
Оперативная память Foxline 32GB 2933MHz CL21 (FL2933D4U21-32G) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Foxline 32GB 2933MHz CL21 (FL2933D4U21-32G) 
Оперативная память Qumo 16GB 2933MHz CL21 - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M378A1K43EB2-CVF) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, особенности: ECC, буферизованная (Registered), низкопрофильная (Low Profile)
Отзывы о Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M378A1K43EB2-CVF) 
Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (P06189-001) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, особенности: ECC, буферизованная (Registered)
Отзывы о Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (P06189-001) 
Оперативная память Hynix 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (HMAA4GS6MJR8N-WMN0) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Hynix 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (HMAA4GS6MJR8N-WMN0) 
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M386A8K40CM2-CVF) - тип: DDR4, объем одного модуля: 64 ГБ, объем одного модуля (точно): 64 ГБ, тактовая частота: 2933 МГц, форм-фактор: LRDIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 21, особенности: ECC, буферизованная (Registered)
Отзывы о Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M386A8K40CM2-CVF) 
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M393A4K40CB2-CVF) - тип: DDR4, объем одного модуля: 32 ГБ, объем одного модуля (точно): 32 ГБ, тактовая частота: 2933 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 21, особенности: ECC, буферизованная (Registered)
Отзывы о Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M393A4K40CB2-CVF) 
Оперативная память Kingston 16 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (KTH-PL429D8/16G) - тип: DDR4, объем одного модуля: 16 ГБ, объем одного модуля (точно): 16 ГБ, тактовая частота: 2933 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 21, особенности: ECC, буферизованная (Registered)
Отзывы о Оперативная память Kingston 16 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (KTH-PL429D8/16G) 
Оперативная память Kingston 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (KTH-PL429/32G) - тип: DDR4, объем одного модуля: 32 ГБ, объем одного модуля (точно): 32 ГБ, тактовая частота: 2933 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 21, особенности: ECC, буферизованная (Registered)
Отзывы о Оперативная память Kingston 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (KTH-PL429/32G) 
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M393A2K43CB2-CVFGY) - тип: DDR4, объем одного модуля: 16 ГБ, объем одного модуля (точно): 16 ГБ, тактовая частота: 2933 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 21, особенности: ECC, буферизованная (Registered)
Отзывы о Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M393A2K43CB2-CVFGY) 
Оперативная память Lenovo 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 4ZC7A08742 - тип: DDR4, объем одного модуля: 32 ГБ, тактовая частота: 2933 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 21, особенности: ECC, Unregistered
Отзывы о Оперативная память Lenovo 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 4ZC7A08742 
Оперативная память Supermicro 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MEM-DR464L-HL02-ER29 - тип: DDR4, объем одного модуля: 64 ГБ, тактовая частота: 2933 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 21, особенности: ECC, Registered
Отзывы о Оперативная память Supermicro 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MEM-DR464L-HL02-ER29 
Оперативная память Fujitsu 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 S26361-F4083-L332 - тип: DDR4, объем одного модуля: 32 ГБ, тактовая частота: 2933 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 21, особенности: ECC, Registered
Отзывы о Оперативная память Fujitsu 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 S26361-F4083-L332 Доставка товаров из категории "память для компьютера - cl 21" - в городе в Апрелевка от 2х дней. Контакты - Апрелевка » Изменить Город |
Buba
30.07.2021
Константин
18.02.2021
Вадим И.
27.02.2020
Алексей Т.
25.02.2020
Николай К.
24.02.2020
Александр М.
23.02.2020
Сидоров
18.02.2020
Александр Л.
17.02.2020
Simf68
15.02.2020
Сидоров
12.02.2020
Сергей Чуманкин
09.02.2020
Анастасия Г.
06.02.2020
Nadejdak1775
05.02.2020
Егор С.
02.02.2020
Олег Х.
01.02.2020
Михаил С.
31.01.2020
александр г.
30.01.2020
Dean Lowrey
30.01.2020
Елена Б.
29.01.2020
Антон К.
27.01.2020